Challenges and Solutions of PI Signoff for Next Generation Large Scale Chips with TSMC 7nm Process Technology

作者姓名: 陈俊杰,Keqing Ouyang

第一作者公司/机构: 中兴通讯西安研发中心

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[   ]随着工艺技术的发展,设计余量不断减少。在较低电压下,工艺变化呈现出非高斯分布。功率计算的准确性和可靠性检查也变得越来越重要。另外,随着芯片的规模和复杂性的增加,传统的多线程解决方案无法满足PI(电源完整性)仿真要求,基于向量的PI仿真变得越来越困难。
我们解决方案中的关键方法如下:
1.向量场景的选择
PowerArtist的配置文件功率功能可在毫秒级快速扫描RTL波形。此功能可以帮助获得最差的DPDT(增量功率/增量时间)周期和最坏的功率周期。周期选择后,这些RTL波形将通过名称映射和传播转换为门级(无需后仿真)。
2.工艺角覆盖
RedHawk-SC的高度并行弹性计算功能帮助我们涵盖了多个过程,例如SSGNP,FFGNP和LT,尤其是在先进技术节点上。
3.功率计算精度
根据设计的物理参数和台积电的器件模型,通过hspice仿真计算每个PVT角的功率转换率。
4.热感知统计EM分析
由于3D鳍片结构较窄且衬底中的导热系数较低,FinFET器件上的局部温度可能高于平面MOS器件,这将显着降低互连寿命。

[ 关键词PowerArtist, RedHawk-SC, EM分析

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